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SI APD雪崩光电探测器

SI APD雪崩光电探测器

圆形有源区APD芯片直径为100μm。该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求,两种TO52类型可供选择。

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    上海 上海 杨浦区 国定路200号4号楼207
加工定制:是品牌:筱晓光子型号:AD100-8 TO
规格:行规

SI APD雪崩光电探测器详细介绍

产品特征:

?APD具有0.008mm2的有效面积

?100μm直径有效面积

?低偏置电压时的高增益

?快速上升时间,低电容

?增益:50-60

 

产品应用:

?激光测距仪

?高速光度测定

?高速光通信

?医用器材

额定值

符号

参数

最小值

单位

TSTG

Storage temp

-55

125

TOP

Operating temp

-40

100

Mmax

Gain IPO=1 nA

-200



IPEAK

Peak DC current


0.25

mA

光电参数@23℃:

符号

特性

测试条件

最小值

典型值

单位


有效区域


直径 100

um


有效区域


0.00785

mm2

ID

暗电流

M=100


0.05

0.1

nA

C

电容

M=100


0.5


pF


响应

M=100λ=800nm

45

50


A/W

tR

上升时间

M=100λ=905nmRL=50?



0.18

ns


截止频率

-3dB

2



GHz

VBR

击穿电压

IR=2uA

80


160

v


温度系数

VBR随时间变化

0.35

0.45

0.55

V/K


过大噪声因素

M=100


2.2




过大噪声指数

M=100


0.2




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